辉达( NVDA-US ) 正持续推进人工智能（AI）芯片的光互连技术，并在近期于美国旧金山举行的半导体展览会SEMICON West 2026上，展示下一代共同封装光学（CPO）技术原型，命名为OOI（Optics-on-Interposer，中介层上集成光学）。这项技术进一步将光引擎集成至运算芯片使用的硅中介层，有望缩短信号传输路径、降低功耗，但封装与散热仍是未来量产必须克服的难题。

一位光通信芯片公司相关人士指出，OOI与现行CPO最大的差异，在于光引擎（OE）不再配置独立的有机基板，而是直接与运算芯片共用硅中介层。

现行量产CPO技术已将光引擎从传统可插拔光模块移至交换芯片旁的有机基板，OOI则进一步将光引擎集成至运算芯片所在的中介层。

通过短距离、细间距布线，OOI可让电信号不必绕经有机基板，进一步缩短传输路径，提升信号传输效率并降低功耗，同时增加带宽密度。

这项设计概念与目前GPU通过硅中介层高速连接高带宽内存（HBM）的方式相近，目标是突破AI芯片对外传输的带宽瓶颈。

不过，光引擎与高功耗运算芯片集成在同一中介层，也带来新的工程挑战。光通信芯片业者指出，光学组件对温度相当敏感，却必须与功耗达数百瓦的运算芯片共同封装，使散热管理、光学耦合精度及后续维修都变得更加困难，其中散热尤其棘手。

此外，OOI也将光学组件的封装难度与技术价值推向更高层次。由于硅中介层产能、产品规格及封装良率主要掌握在先进封装厂手中，随着光引擎与运算芯片的距离缩短、电信号信道减少，封装在整体方案中的价值也将提高，进一步强化先进封装业者在AI芯片供应链中的地位。

辉达研究院首席研究科学家Nikola Nedovic表示，公司已取得OOI原型样品，正针对未来产品进行评估，但商业化仍有技术问题尚待解决。

OOI尚无量产时程 2030年后才可能导入

目前辉达并未公布OOI的商业化或量产时间表。业界人士认为，中短期内这项技术不会对中国光通信产业造成明显影响，辉达预计2028年推出的Feynman架构仍将采用CPO方案，OOI真正进入量产阶段可能要等到2030年以后。

相较之下，辉达第一代CPO技术已开始进入规模化量产阶段。辉达8月14日通过官方社群帐号宣布，全球首款每信道200G的共同封装光学（CPO）以太网路交换器系统已全面量产。

供应链方面，该系统由Lumentum( LITE-US ) 提供雷射芯片、天孚通信( 300394-CN ) 负责雷射器模块子组件组装、台积电( 2330-TW ) 提供硅光子制程、硅品负责封装，最后由鸿海( 2317-TW ) 完成系统集成。首批客户包括CoreWeave、Lambda及甲骨文。

辉达10月21日在GTC柏林大会上进一步宣布，将与硅品等合作伙伴扩大CPO光引擎产能，目标在2027年年中提升至目前的15倍，并在2028年底前再扩大一倍。若两阶段目标均顺利达成，产能将较目前增加约30倍。

光互连技术路线并存 供应链价值重新分配

从产业发展来看，光互连技术正逐步从传统可插拔光模块，朝向线性可插拔光学（LPO）、近封装光学（NPO）及CPO等方向演进，未来再进一步发展至OOI。不过，目前各种技术方案仍处于并行发展阶段，尚未全面由单一技术取代。

中国业者目前在NPO领域进展较快，海外业者则以辉达为代表，积极推进CPO技术。剑桥科技副总经理暨首席技术官赵海波指出，机柜内的Scale-up互连目前仍以铜缆为主，但在跨机柜应用中，光传输正逐步取代铜缆，传统可插拔光模块明年仍将是市场主力。

他也表示，在单波100G方案中，并不需要导入NPO或CPO，光模块的产品形态仍将随技术演进而调整。

随着光互连架构持续升级，产业链的价值分配也正在改变。传统可插拔光模块时代，价值主要集中在光模块与光芯片；进入CPO时代后，产业价值则逐渐转向硅光子芯片、先进封装、外置光源、无源组件，以及散热与测试等环节。