中央消息

（中央社记者 趙敏雅 台北27日电）国研院国仪中心携手泛铨科技，攻克新一代高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）光阻材料微影制程后，以镀膜技术强化晶圆上纳米结构，进行后续检测分析，这项成果协助泛铨科技打入全球大型半导体设备商与制造商的制程供应链。

国研院今天宣布，携手泛铨科技成功攻克新一代极紫外光制程后结构分析技术瓶颈，这是半导体制程迈向2纳米线宽过程中，必须克服的难关之一。国研院院长蔡宏营指出，「制程做完之后，要确认做得好不好，这项技术更具挑战性」。

国研院说明，随着半导体制程持续朝埃米级别微缩，极紫外光（EUV）微影技术已发展为更高端的「高数值孔径极紫外光」，才能在半导体晶圆上制作更细的电流信道。「金属氧化物光阻剂」（MOR）是专门搭配高数值孔径极紫外光微影技术的关键材料之一，两者结合能制作出更细、更精准的电路图案，也有助于提升半导体制程性能与良率。

国研院表示，这种新世代半导体制程尚在发展阶段，对微影制程后的晶圆结构品质与尺寸精度有更高要求，必须通过精密检测技术，将晶圆剖开，分析使用高数值孔径极紫外光与金属氧化物光阻剂微影曝光后的晶圆化学变化与纳米结构。

国研院指出，在微影曝光后直接剖开晶圆进行分析，容易对晶圆上已经制作好的纳米结构变形与材料界面造成破坏，若在检测前，先在晶圆表面镀一层膜，让整体结构变得坚固，可避免剖开晶圆时造成损伤。

为解决产业痛点，国研院表示，国仪中心结合仪器设备开发经验与真空制程内核技术，建置「先进半导体材料分析技术研发平台」，以尖端的原子层沉积（ALD）设备与技术，提供业界所需的高品质镀膜需求。泛铨科技可运用国仪中心客制化开发的原子层沉积设备，针对不同材料与分析情境调校专属制程参数，成功发展符合当前半导体产业严苛需求的分析技术。

泛铨也公布，携手国研院推进「类FAB（Fab-like）产线验证技术」，进一步将材料分析能力延伸至制程仿真与生产验证环节，打造生产及验证分析一条龙的服务模式。

泛铨董事长柳纪纶指出，目前客户有使用相关技术，「现在不是起跑点，已经跑到路中间了，全球前3大设备商，甚至前5大，我们都在服务」。他也看好相关服务量将扩大，也能提高客户黏着度。

国研院表示，国仪中心与泛铨科技合作，顺利突破复杂的分析技术瓶颈，创建具高度差异化的分析能力与技术护城河。国仪中心先进半导体材料分析技术研发平台，未来将持续提供最前瞻的纳米结构解析与材料验证服务，协助更多国内厂商打造下一世代半导体材料分析技术解决方案，助力台湾半导体供应链缩短研发周期，抢占市场先机。（编辑：林家嫻）1151027