中国NAND Flash大厂长江存储传出正开发传输速率高达9600MT/s的LPDDR5X行动内存，并规划在武汉Fab 3厂导入量产。若相关计划顺利推进，将代表长江存储进一步跨足高性能DRAM市场，与三星电子( 005930KS ) 、美光等国际内存大厂竞争。

根据周五（23日）消息，长江存储正将DRAM研发重心延伸至高速行动内存，并采用垂直信道晶体管（VCT）与4F²保存单元架构，寻求提升内存密度及传输性能。

长江存储布局DRAM并非近期才开始。据报导，该公司自2025年10月起，已在Fab 2厂研发及测试第二代16Gb LPDDR5，传输速率为7500MT/s，月产量约5,000片晶圆。

此次传出的9600MT/s LPDDR5X计划，则显示其产品布局朝更高传输速率发展。

此次研发的一大看点，在于导入4F²保存单元架构。相较传统6F²架构，4F²设计理论上可将单一保存单元的占用面积缩小，让相同芯片面积容纳更多保存单元，进而提高内存密度，并有助降低成本。

中国另一家内存制造商长鑫科技( 688825-CN ) 先前也公布4F² DDR5布局，显示中国DRAM业者正同步探索这项架构。

不过，4F²技术的可行性仍存在争议。美光科技( MU-US ) 先前曾质疑该架构缺乏可行的微缩路径，认为其密度优势遭到过度吹捧。随着长江存储与长鑫存储持续推进相关技术，4F²架构能否在实际制程中发挥预期效益，将成为后续发展的重要观察指针。

Counterpoint Research研究副总裁Neil Shah指出，长江存储在晶圆对晶圆键合技术方面累积的经验，有助其朝3D DRAM发展。

长江存储的Xtacking技术，主要是将内存保存数组与周边逻辑电路分开制造，再通过键合方式集成。这种设计有助降低对先进微影设备的依赖，也为公司探索不同的内存架构提供技术基础。

分析指出，长江存储若进一步将既有技术经验延伸至DRAM，将有助扩大产品布局，不再仅聚焦NAND Flash市场。

不过，9600MT/s LPDDR5X目前仍属研发及量产规划阶段，实际量产时程、产品规格与市场竞争力，仍有待后续确认。