中國半導體記憶體業者長鑫存儲(長鑫科技)宣布在 4F² DRAM 架構設計上取得技術進展，並規劃於 2026 年底前推出新一代 DDR5 RDIMM 伺服器記憶體。此項技術進程反映出該公司在傳統二維平面架構漸趨物理極限之際，轉向三維架構領域發展的戰略轉折。

4F² 垂直架構與混合鍵合之技術機制

據報導，在 DRAM 技術演進中，主流市場長期採用 6F² 結構，但微縮製程已接近電容物理極限。長鑫存儲採用的 4F² 垂直包圍閘(VSG)架構，將電晶體溝道改為垂直排列，使單一記憶體儲存單元面積縮減約三分之一，在相同晶圓面積下，儲存密度可提升 30% 至 50%。

在製造工藝方面，該架構結合 12 吋晶圓級混合鍵合(Hybrid Bonding)技術，將外圍邏輯電路(CMOS)與儲存單元陣列拆開製造後進行三維整合。這種設計解耦策略使廠商得以透過底層結構創新與三維工程技術提升晶片密度與效能，從而降低對極紫外光(EUV)微影設備的單一依賴。

市場供需調整與財務表現

全球 DRAM 市場於 2025 年至 2026 年間出現顯著供需結構變化。由於全球主要記憶體製造商將先進晶圓產能優先調配至高頻寬記憶體(HBM)與高階 DDR5，HBM 所消耗之晶圓量約為傳統 DRAM 的 3 倍。

在主要廠商逐步減少 DDR4 供應的情況下，成熟製程記憶體出現供需缺口，DDR4 單顆現貨價格由 2025 年 11 月的約 12 美元升至 2026 年 10 月的 46.321 美元。

受惠於市場供需調整與產能爬坡，長鑫存儲的財務數據顯著成長。2025 年該公司全年營收為 617.99 億元人民幣，歸母淨利潤為 18.75 億元人民幣；2026 年上半年營收達 1,503.10 億元人民幣，歸母淨利潤為 776.05 億元人民幣，主營業務毛利率為 84.84%。

最新業績預告顯示，其 2026 年前三季預計營收將達 2,650 億至 2,700 億元人民幣，預計歸母淨利潤為 1,310 億至 1,325 億元人民幣。

在市場份額方面，2026 年第二季全球 DRAM 銷售收入創下歷史新高，長鑫存儲以 145.45 億美元營收取得 9.9% 之全球市占率，次於三星(40.2%)、SK 海力士(26.1%)與美光(21.3%)。其月產能規劃預計於 2026 年底突破 30 萬片，並朝長期 60 萬片以上的規模推進。

產品定位與專利布局

長鑫科技總裁曹堪宇日前公開表示，公司規劃首款 4F² 產品為伺服器 DDR5 RDIMM，預計於年底前送交客戶進行驗證。

針對長鑫存儲的市場布局，該公司將首代 4F² 架構直接應用於對穩定性與容錯率要求嚴格的企業級伺服器市場，並搭配已發布的 LPDDR6 移動端儲存產品，顯示其正加速進入高毛利的高階記憶體市場。