記憶體股本周遭遇猛烈賣壓，除了全球股市動盪，中國競爭升溫與2029年可能供給過剩的疑慮，也讓投資人重新檢視AI帶動的記憶體榮景能走多久。過去5個交易日，SK海力士(SK Hynix)(SKHY-US)重挫26%、三星電子(005930-KR)下跌22%，美光(MU-US)則跌約11%。

據《CNBC》報導，這波跌勢背後有兩大焦點：中國長鑫存儲(CXMT)的新技術是否威脅既有大廠，以及目前積極擴產的記憶體業者，是否將在數年後面臨產能過剩。不過，分析師對長鑫的量產能力仍有疑問，2029年供給過剩的預測也尚未形成市場共識。

長鑫新架構引發戒心 量產良率仍是關鍵

市場最初的不安來自長鑫存儲本周稍早宣布，計畫推出採用新架構的伺服器記憶體產品。這項設計可提高儲存密度，引發投資人擔心，長鑫可能藉此搶走三星、SK海力士與美光的全球市占。

然而，部分分析師質疑，長鑫是否能將這項先進技術轉化為大規模生產。Quilter Cheviot全球科技研究主管巴林傑(Ben Barringer)指出，架構改變後，能製造晶片只是第一步，更重要的是良率。

他舉例說，若良率只有50%，就意味著一半晶片因效能不佳而必須報廢。這是說明量產挑戰的假設情境，並非長鑫實際良率。

Rosenblatt Securities資深研究分析師卡西迪(Kevin Cassidy)也認為，長鑫的最新進展不太可能為市場帶來足以改變局勢的新增供給。他表示：「我們不認為這會改變供需平衡。」

2029年供給過剩說升溫 馬斯克也談中國擴產

另一項引發交易員討論的消息，來自南韓《每日經濟新聞》一篇評論文章。作者呼籲南韓政府為AI熱潮可能降溫預作準備，並尋找及培育下一個主要成長動能。

根據《CNBC》翻譯，該文引述首爾大學一名黃姓教授及南韓半導體產業協會執行董事安基鉉(Ahn Ki-hyun)的看法，預期2029年將出現「大量新增供給」，讓記憶體市場淪為競爭激烈的「紅海」。作者並表示，到2030年，超級循環可能結束，產業可能進入下行期。

特斯拉(TSLA-US)與SpaceX(SPCX-US)執行長馬斯克也在X回應這篇文章，稱中國「2028年將生產大量RAM」。RAM即隨機存取記憶體，主要供應商包括三星、SK海力士、美光及長鑫。

若2029年確實出現供給過剩，記憶體價格與業者利潤率可能承壓。不過，這項時間較遠的預測，目前尚未獲得其他分析師普遍呼應。

擴產仍需數年 長約可能緩和價格下跌

過去，記憶體主要客戶是智慧手機、筆電等消費性電子業者；如今AI熱潮推升需求，記憶體也成為輝達(NVDA-US)晶片及資料中心供應鏈的重要環節。供給吃緊帶動價格空前上漲，也曾推升三大記憶體廠股價大幅走高。

投資人如今關注的是，AI是否改變了產業長期以來的榮枯循環。傳統上，需求超過供給會推升價格，隨後業者擴產，供給過剩又使價格下跌。目前主要記憶體廠都在增加產能，但新廠從興建到投產約需3至5年，因此許多分析師預期，缺貨情況要到2028年才會緩解。

然而，供給改善未必代表價格重挫。Counterpoint Research預估，2028年DRAM價格將較2027年下跌約23%，但仍比2025年高出約230%。

該機構資深研究分析師崔正九(Jeongku Choi)表示，記憶體市場已進入「新常態」，未來下行循環將與以往不同。供應商與買方簽訂3至5年長期供貨協議，搭配大額預付款及價格上下限，以提高交易穩定性。因此，即使產業進入下行期，價格也不太可能出現過去那種劇烈跌勢。