特斯拉( TSLA-US ) 執行長馬斯克週四（15日）在社群平台 X 發文指出，中國到2028年將能大規模生產隨機存取記憶體（RAM），引發市場對中國半導體產業加速追趕的關注。南韓金融專欄近期也示警，隨著中國新增產能陸續開出，南韓記憶體產業可能在2029年面臨供給過剩，若未能在未來2至3年培養新的成長動能，現有的產業優勢恐將逆轉。

根據 外媒 報導，馬斯克此次發言，是針對南韓金融專欄相關分析作出回應，也讓全球記憶體產業的競爭格局再度成為市場焦點。

（圖： 馬斯克X ）

在人工智慧（AI）帶動記憶體需求持續攀升之際，中國產能擴張的速度，以及南韓業者能否維持技術領先，將成為未來幾年的重要觀察指標。

馬斯克兩天前已在 X 公開肯定美光科技( MU-US ) 的定價策略，認為該公司對未來記憶體價格的態度相當合理，也正透過適當的商業決策爭取客戶長期支持。

相較之下，他批評部分供應商的報價高得令人難以接受，並直言客戶永遠不會忘記這種做法。

儘管馬斯克並未明確點名批評對象，但全球DRAM市場長期由三星電子( 005930KS ) 、SK海力士( 000660KS ) 與美光三大業者主導，南韓媒體普遍將他的言論解讀為針對兩家南韓記憶體大廠。

業界消息指出，馬斯克的評論與摩根大通近期看好記憶體產業的研究報告有關。該報告認為，全球記憶體供需失衡可能持續至2028年，而馬斯克藉由相關討論，表達對部分供應商定價行為的不滿。

摩根大通估記憶體供不應求至 2028 年 HBM 市場規模看增

摩根大通指出，記憶體市場基本面較90天前明顯轉強，目前需求遠高於供給。該行預估，全球記憶體供給缺口2026年約為20%，2027年降至19%，2028年進一步縮小至15%。

高頻寬記憶體（HBM）市場的成長前景同樣受到看好。摩根大通預估，HBM市場規模將從2026年的約640億美元，擴大至2027年的1,600億美元，並於2028年進一步攀升至2,800億美元。

在供應合約方面，美光的長期客戶協議數量已從16份增加至26份，合約期限延伸至2030年，涵蓋公司超過35%的營收，剩餘履約義務總額達1,500億美元。此外，美光2027會計年度超過75%的產出已獲客戶承諾採購。

市場策略分析師Shay Boloor在 X 指出，未來當供應逐漸寬鬆時，美光有機會將馬斯克所說的客戶「好感」，轉化為更長期的合約與更高的市場占有率。

中國記憶體技術加速追 趕 全球大廠市 值 承壓

馬斯克日前也曾指出，中國一旦掌握特定產品的製造技術，擴大產量的能力往往可能超越全球其他地區的總和，並以鋰電池與太陽能板產業為例。

他進一步分析，約三年前，記憶體還是一種利潤率偏低、規格標準化的商品，而LPDDR5與LPDDR6採用通用規格，中國似乎正迅速掌握相關技術。

不過，他認為，新一代HBM架構、SRAM層，以及3D堆疊RAM面臨的散熱挑戰，仍是中國製造商較難克服的技術門檻。

市場對中國記憶體產業崛起的擔憂並非毫無根據。中國長鑫科技( 688825-CN ) 近期傳出晶片設計取得進展，能在更小的空間內整合更多記憶體。這項消息已對全球主要記憶體公司的股價造成顯著影響。

10月12日，美光市值單日蒸發約520億美元，SK海力士減少約415億美元，Sandisk( SNDK-US ) 則下滑約150億美元。

股價方面，美光10月14日收盤下跌4.08%，收在914.13美元。費城半導體指數當日則下跌4.30%，連續第六個交易日走低。

南韓記憶體 產 業面臨轉型壓力 供需反轉風險升溫

馬斯克發表上述言論的時機格外敏感。南韓記憶體產業正面臨來自中國的結構性競爭壓力，而身為全球最大電動車製造商的掌舵者、同時也是AI基礎設施的重要客戶之一，馬斯克公開評論供應商的定價策略，無疑為記憶體產業的競爭格局增添新的變數。

產業分析師指出，若中國製造商如馬斯克所言，能在2028年實現記憶體大規模量產，全球記憶體市場的供需結構將面臨根本性調整。

面對中國加速追趕，南韓製造商能否維持在HBM領域的技術領先地位，將是未來2至3年的重要觀察指標。

值得注意的是，馬斯克公開支持美光，可能反映下游客戶對記憶體價格持續上漲的不滿情緒日益加深。在AI基礎設施投資帶動記憶體需求激增之際，主要製造商的定價能力大幅提升，但客戶端承受的成本壓力也隨之累積。

摩根大通的報告描繪了記憶體供應短缺的樂觀前景，但馬斯克對中國產能的預測，以及南韓金融專欄對供給過剩的警告，則為這項前景增添陰影。記憶體產業的景氣循環，如今正同時面臨技術追趕與地緣政治因素的雙重考驗。