艾司摩尔(ASML-US)与光学合作伙伴蔡司(Carl Zeiss)的工程师，在一篇同侪审查论文中指出，接替目前最先进曝光机的「Hyper NA」技术，可能约十年后准备就绪，可印制更微小的芯片电路，并沿用大量既有技术，但仍有挑战待克服。

据《路透》周四(8日)报导，艾司摩尔已开始研发Hyper NA，但尚未承诺投入生产，也未立即回应置评要求。该公司凭借极紫外光(EUV)曝光设备的独占地位，成为欧洲市值最高企业，下一代技术进展也牵动合作伙伴与竞争对手布局。

刊登于10月《微纳米图案化、材料与计量期刊》的论文指出，Hyper NA可望印制小至5纳米的电路特征，比现有High NA EUV设备缩小逾三分之一。此处指曝光可形成的特征尺寸，并非芯片厂标示的制程节点名称。

尽管芯片业者持续通过3D设计提升性能，缩小电路仍是改善速度与耗电的重要途径，曝光技术则是限制因素之一。目前英特尔(INTC-US)已开始将High NA用于生产；三星电子与SK海力士(SKHY-US)上月表示，将于2028年跟进，台积电(2330-TW)(TSM-US)则规划2030年采用。

论文表示，蔡司已能制造精度足以支持Hyper NA的反射镜，新设备尺寸也仅略大于目前已有双层巴士大小的High NA机台。现有光源可直接沿用，即使改采自由电子雷射，也不会改变照明系统设计。

这对研发自由电子雷射光源的美国新创xLight，以及投入X光曝光技术的Substrate，均具参考意义。马斯克曾暗示，可能在德州Terafab芯片厂采用xLight技术。至于Hyper NA之后的世代，作者认为可能须使用更短波长的光，目前仍处于学术研究阶段。