美光(MU-US)台灣董事長盧東暉今(1)日表示，受惠AI帶動記憶體需求持續強勁，美光正加快全球擴產腳步，台灣桃園、台中、銅鑼及台南四大製造基地全面擴建與裝機，其中，台中新增的HBM先進封裝二廠預計10月中正式啟用，進一步擴充HBM相關產能。

盧東暉指出，美光在台灣布局已超過30年，目前員工人數超過1.5萬人，涵蓋前段晶圓製造、後段封測、HBM製造、研發、產品開發、銷售及實驗室等功能。截至今年6月，美光在台累計投資金額已超過新台幣1.6兆元、約520億美元，其中約一半投資集中在最近4年，顯示AI與先進記憶體需求帶動下，美光在台投資速度明顯加快。

在桃園方面，美光正於Fab 11既有基地內新建Fab 11E，由於既有廠房興建年代較早，在樓板承重、設備高度及維修空間等條件上，難以完全符合EUV設備需求，因此決定另建專門支援EUV與下一世代先進DRAM製程的新廠。

盧東暉指出，Fab 11E不僅是為現階段EUV設備設計，也同步考量未來更高階設備對建築結構與承重的需求，期望新廠可支援未來20年的技術演進。Fab 11E已於7月30日動土，預計2028年上線。

銅鑼則是美光近期擴產速度最快的基地之一。盧東暉指出，美光今年2月接手銅鑼P5廠後，不到兩周第一批設備便開始進駐，目前已有超過百台、接近200台機台進廠，現階段主要限制甚至已不是廠房，而是設備供應商能否加快交機速度。

除了既有P5廠快速裝機，美光也同步推進銅鑼第二座晶圓廠建設。由於原廠設計主要服務成熟製程邏輯與較成熟DRAM，美光為導入更先進DRAM與EUV設備，已重新調整部分建築及基礎設施設計，目標明年下半年推進至下一階段。

台中后里目前則是美光在台最大的製造基地，美光2013年進入后里園區時，使用面積約占當地園區23%，如今已提高至約73%，顯示過去十餘年持續擴大布局。隨著HBM需求快速攀升，美光原有先進封裝空間也逐漸不足，因此自去年起將既有倉儲及傳統製造空間改造成先進封裝二廠，預計今年10月中完成並啟用，後續將正式投入HBM相關生產。

此外，美光仍持續擴大后里周邊土地布局，除了因應生產空間需求，也增加辦公室、停車場及其他支援設施。盧東暉表示，製造基地形成群聚後，對生產成本、營運效率、人才流動及供應鏈支援都有顯著幫助，美光也將銅鑼與後里視為「大台中製造基地」的一部分。

在台南方面，美光去年取得友達(2409-TW)既有光電廠後，持續進行大規模改造。由於面板廠與晶圓廠對電力、水、氣體、化學品及廢水處理等基礎設施需求差異甚大，美光也同步取得周邊土地，建置中央動力廠房等配套設施。

其中，原有一座約11公尺高的倉庫已被改造成三層樓晶圓製造空間，第一批機台也已於9月初開始移入，代表台南基地逐步從廠房改造階段進入設備裝機及量產準備。

盧東暉指出，目前從桃園、台中、銅鑼到台南，各基地幾乎都在同步施工、擴建與裝機，每個地方都在大興土木，反映目前記憶體市場需求強勁，美光正全面加快在台產能建置。

他並表示，美光近年的先進DRAM製程完成研發後，多數都優先在台灣導入，包括1α、1β及1γ世代，其中1γ更是美光首代導入EUV的DRAM製程。隨著部分較成熟的1α產能逐步轉往美國Virginia生產，也可進一步釋出台灣廠房空間，導入更先進製程。

展望後市，盧東暉指出，美光預期未來至少兩年客戶需求仍將維持強勁，全球研發、製造及產能調配都必須持續加速，台灣也將持續扮演美光全球先進DRAM及HBM布局的重要製造基地。