三星电子( 005930KS ) 的高带宽内存（HBM）基础裸晶供应策略迎来调整。业界传出，三星在客制化HBM时代，将摆脱过去完全依赖内部晶圆代工的模式，改采三星晶圆代工与台积电( 2330-TW ) ( TSM-US ) 制程并行的「双轨」策略，以提高供应链弹性并满足不同客户需求。

韩媒《ZDNet Korea》引述业界消息报导，三星电子计划在客制化HBM的基础裸晶上，同时采用三星晶圆代工（Samsung Foundry）与台积电制程。

外界认为，三星此举主要是因应客户对HBM产品客制化需求增加，试图提升基础裸晶供应链的灵活度。

HBM主要由多层堆栈的DRAM内核裸晶（core die），以及位于下方、负责连接内存与系统半导体的基础裸晶（base die）组成。基础裸晶可协助内存与系统芯片间进行高速数据传输，随着HBM世代升级，其重要性也持续提升。

随着HBM4开始量产，三星电子与SK海力士已不再采用传统DRAM制程制造基础裸晶，而是改由晶圆代工制程生产。相较于DRAM制程，晶圆代工技术更有利于在基础裸晶中集成更多功能，进一步提升HBM产品性能与能源效率。

过去三星电子主要通过旗下系统LSI事业部与晶圆代工事业部，自行取得HBM所需的基础裸晶。

不过，市场传出，在辉达( NVDA-US ) 近期公布的客制化HBM架构NVHBM方面，三星将采用更弹性的供应方式。三星预计以自家HBM内核裸晶为基础，依照客户需求，混合搭载由三星晶圆代工制造的基础裸晶，以及由台积电制程制造的基础裸晶。

报导指出，若三星HBM基础裸晶改由台积电制程，相关芯片设计与优化支持将由三星内存事业部负责，而三星系统LSI事业部则主要负责设计供自家晶圆代工使用的产品。

业界人士透露，部分系统LSI事业部人员已转至三星内存事业部，负责与台积电基础裸晶相关的工作，目前已有客户开始以三星HBM内核裸晶搭配台积电制程基础裸晶进行产品设计。

因应AI需求 三星寻求HBM竞争突破

业界人士表示，三星电子计划针对NVHBM用基础裸晶，依照客户要求，同时采用内部晶圆代工与台积电制程的双轨方式，至于实际采用比例，将视最终客户需求而定。

报导分析，台积电目前通过晶圆代工与先进封装技术，已与辉达等全球大型科技企业创建供应链合作关系，在产品稳定性与性能方面受到客户高度重视。

若三星仍坚持完全采用自家晶圆代工的一站式生产模式，可能愈来愈难以满足AI芯片市场对客制化HBM的多元需求。

因此，三星导入台积电制程基础裸晶，被视为其强化HBM竞争力的重要调整，也反映AI运算需求快速成长下，内存业者正逐步从单纯提升容量与速度，转向更高度客制化的供应链布局。