中國DRAM大廠長鑫科技( 688825-CN ) 在全球記憶體市場的市占率持續攀升。 市場研究機構Counterpoint Research近日發布最新全球DRAM市場分析指出，2026年第2季全球DRAM市場營收年增385%、季增57%，長鑫科技營收市占率則首度達到10%，排名全球第4。 從主要業者來看，三星電子( 005930KS ) 仍以38%的營收市占率居冠，SK海力士( 000660KS ) 以25%排名第2，美光科技( MU-US ) 則以24%位居第3。 長鑫科技則以10%市占率緊追在後，年增4個百分點、季增2個百分點。 這也是長鑫科技單季DRAM營收市占率首次達到雙位數。

2023年時，長鑫科技全球DRAM營收市占率還不到1%，去年第2季則升至4%，今年第1季進一步攀升至8%，第2季再提高至10%。 Counterpoint Research今年8月初原先預估，長鑫科技2026年第2季DRAM營收市占率約為7%。 不過，隨著長鑫科技母公司長鑫科技8月底公布上半年財報，其業績表現明顯超出原先預期，因此Counterpoint在最新報告中將長鑫科技市占率修正至10%。 財報顯示，長鑫科技2026年上半年營收達1503.1億元人民幣，年增873.64%；歸屬於上市公司股東的淨利潤為776.05億元人民幣，相較去年同期虧損23.32億元，已扭虧為盈，且上半年業績已超越2025年全年。

根據已公布的第1季業績計算，長鑫科技第2季營收約995.1億元人民幣，年增977.4%、季增約95.9%；歸母淨利潤達528.43億元人民幣，年增由虧轉盈，季增113.4%。 相較之下，三星第2季營收171.5兆韓元，年增130%、季增28%；SK海力士營收79.3187兆韓元，年增257%、季增51%；美光2026會計年度第3季（截至5月28日）營收為414.56億美元，年增346%、季增74%。 這顯示長鑫科技第2季營收的年增與季增幅度，均明顯高於全球前三大DRAM業者。 三大 DRAM 廠轉向 HBM 長 鑫 科技趁勢擴充常規 DRAM不過，三星、SK海力士與美光的營收增速低於整體DRAM市場，與其產能配置變化有關。

三大DRAM業者自去年第4季起，將更多產能轉向毛利率較高、AI加速器所需的高頻寬記憶體（HBM），使常規DRAM產品的產出減少。 美光此前曾表示，生產1份HBM3E需要消耗3份DRAM產能。 隨著常規DRAM供應縮減，相關產品價格大幅上漲，最新研究顯示，常規DRAM的利潤率目前已與HBM持平，甚至超越HBM。 在此背景下，主要生產常規DRAM的長鑫科技迅速擴充產能，進一步受惠於市場供應吃緊與價格上漲。 相關報導指出，長鑫科技DRAM產品定價僅比南韓與美國同類產品低5%至10%，並未採取市場新進業者常見的大幅折價策略，代表其營收成長主要反映供應受限環境下的實際銷量增加，而非依靠價格戰搶占市場。

DDR5 效能縮小差距 長 鑫 科技成本劣勢仍超過 30%在產品性能方面，2026年2月Hardware Unboxed進行的遊戲基準測試顯示，長鑫科技消費級DDR5產品的表現已與三星、SK海力士同類產品大致相當。 長鑫科技目前也已量產最新LPDDR6記憶體，首款產品目標速率為12,800 Mbps（12.8 Gbps），符合JEDEC標準，但比SK海力士採用1c製程的LPDDR6產品14.4 Gbps設計上限低約11%。 SK海力士LPDDR6採用第6代10奈米級（1c）製程，並導入EUV微影技術，相較LPDDR5X速度提升33%，功耗效率提升超過20%。

由於艾司摩爾( ASML-US ) 的EUV曝光機及部分高階浸沒式DUV設備對中國出口受到限制，長鑫科技目前DRAM產品製造路線仍依賴DUV微影技術，在一定程度上限制技術演進。 目前三星、SK海力士與美光的高階DRAM產品均已推進至第5代10奈米級（1β／1b nm）製程。 其中，三星與SK海力士自第4代10奈米級（1α／1a nm）製程便開始導入EUV，美光則自第6代10奈米級（1γ／1-gamma）製程開始導入EUV。 雖然DRAM製造商可以透過DUV多重曝光，達到類似EUV單次曝光的效果，但額外曝光可能增加位置誤差，累積後影響良率，同時也會拉長生產週期並推升製造成本。

根據SemiAnalysis建模以及晨星分析師Wei Jingjie的獨立成本分析，長鑫科技每位元的結構性成本劣勢，相較三星、SK海力士與美光平均水準超過30%。 即使存在成本劣勢，在常規DRAM供應吃緊、價格大幅上漲的環境下，長鑫科技今年上半年主營業務毛利率仍高達84.84%。 15% 市占率成關鍵 長 鑫 科技能否跨過生存門檻？ 對長鑫科技而言，10%並非最關鍵的市占率數字，15%才是另一個重要門檻。 Counterpoint Research研究總監Hwang Min-sung指出，長鑫科技必須跨過15%的市場佔有率門檻，才能取得持續投資下一代晶圓廠所需的資金。 這項判斷具有歷史依據。

台灣DRAM業者南亞科( 2408-TW ) 、華亞科與茂德，在2008年全球市場佔有率跌破15%後，逐漸失去競爭生存能力。 Hwang Min-sung表示，當DRAM業者市占率低於15%，將難以為下一代晶圓廠取得融資，市占率可能進一步萎縮至約3%，最終轉為利基型業者。 因此，15%被視為長鑫科技必須跨越的重要界線。 然而，若只依賴常規DRAM市場，長鑫科技要達到15%市占率可能面臨挑戰。 原因在於，當三星、SK海力士與美光預計在2028年前後完成HBM產能擴充、供需恢復平衡後，部分產能可能重新轉向常規DRAM市場，屆時常規DRAM價格可能下滑，長鑫科技目前的成本劣勢也將成為影響利潤率的重要因素。

長 鑫 科技 拚 2028 年市占 18% 伺服器 DRAM 成布局重點從營收結構來看，長鑫科技目前約98%的營收仍來自常規DRAM產品，包括DDR4、DDR5、LPDDR5X，以及最新量產的LPDDR6。 HBM目前尚未實現量產銷售，使長鑫科技未來的產品結構與利潤率面臨一定脆弱性。 為降低對消費型DRAM的依賴，長鑫科技正積極擴大伺服器DRAM出貨，其伺服器市場營收占比已從2024年的8.4%提升至2025年的26.5%，持續向更高價值鏈推進。 最新消息顯示，長鑫科技已與字節跳動、騰訊控股( 00700-HK ) 及百度( 09888-HK ) 等中國企業簽署長期協議，這些中國雲端基礎設施業者已成為長鑫科技較穩定且價值較高的客戶。

其中，字節跳動於2026年7月與長鑫科技簽署一份價值超過70億美元、為期5年的伺服器DRAM供應協議。 阿里巴巴( 09988-HK ) 則持有長鑫科技約5%股權，同時也是其主要客戶之一。 野村分析師Donnie Teng預估，長鑫科技全球DRAM市占率將在2028年底達到18%，跨過15%的關鍵門檻。 投資人Dan Niles則提出更積極的看法，認為中國到2030年可能占全球DRAM市場30%。 相較之下，Counterpoint Research的基準預測較為保守。

該機構在長鑫科技IPO時預估，其2028年DRAM位元市占率約為11%，並預計到2035年才達到15%的營收市占率門檻，反映長鑫科技未來可能受到常規DRAM市場環境轉弱及成本劣勢影響，增速將逐步放緩。 長鑫科技今年7月已完成科創板IPO，取得近560億元人民幣融資，資金主要用於擴充產能及下一代技術研發，為後續提升市場競爭力與市占率提供資金支持。