中國記憶體產業雖然尚未全面追上全球領先廠商的最先進技術，但在龐大內需、政策與資本投入，以及供應鏈國產化推動下，已逐步形成具規模的DRAM與NAND產能。 摩根士丹利指出，中國儲存廠商的崛起不能單純視為「技術追趕」或「低價替代」，真正值得關注的是其產能規模可能逐漸大到足以改變全球記憶體市場的供給結構。 摩根士丹利認為，長鑫科技( 688825-CN ) 與長江存儲目前正從主流產品市場切入，並逐步向HBM、高階伺服器DRAM及企業級SSD等高利潤市場延伸。

2026至2027年，AI需求強勁、先進記憶體供給吃緊，仍可能吸收中國新增產能；但到了2028年以後，隨著中國擴產、全球既有大廠擴產陸續落地，以及需求週期可能出現變化，全球記憶體產業可能迎來供需結構的重要考驗。 中國記憶體崛起，競爭不只是「第四家廠商」過去40多年，全球記憶體產業主導權先後經歷美國、日本與南韓。 如今中國也開始進入這條產業演進路徑，但發展模式與過往並不完全相同。 中國記憶體業者目前的優先目標，並非立即在全球最先進DRAM或NAND技術上取得領先，而是先建立足以支撐市場需求的產能規模。 中國AI基礎建設、伺服器、手機及消費電子等市場提供龐大需求，加上政策、資本與供應鏈本土化支持，使長鑫與長存得以持續投入產能建設。

這也代表，即使中國記憶體業者短期內不需要大量進入歐美市場，只要其新增產出足以影響全球邊際供給，就可能透過進口替代、改變貨物流向，以及壓低舊世代產品價格，進而影響整個產業的經濟效益。 摩根士丹利認為，這是中國儲存與過去三大DRAM廠商競爭模式最大的不同。 三星( 005930KS ) 、SK海力士( 000660KS ) 與美光科技( MU-US ) 長期以獲利、自由現金流及股東回報為主要經營目標。 當市場需求轉弱時，三大廠通常會透過削減資本支出、降低產能利用率及控制位元成長來維持供給紀律。 長鑫的目標則可能更加多元，除了獲利之外，也肩負進口替代、技術學習、供應鏈安全及產業自主等任務。

因此，在下一次景氣下行期間，長鑫是否會完全採取傳統記憶體廠的減產策略，將成為影響全球供需的重要變數。 換言之，全球DRAM市場未來面對的可能不只是多了一家低價供應商，而是從原本經營目標相對一致的三強格局，轉變為四家策略目標並不完全相同的競爭者。 長鑫對NAND市場的潛在影響甚至更加直接。 由於NAND本身的市場結構較為分散，產品涵蓋消費電子、行動裝置、資料中心及企業級儲存，中國廠商若擴大主流NAND與大容量SSD產量，可能更快削弱市場供給紀律。 AI 熱潮反而 為 中國記憶體業者創造切入窗口AI資料中心的需求並不只有HBM。 GPU與ASIC同樣需要大量傳統DRAM，而訓練資料、模型參數及推理結果則需要高容量NAND與企業級SSD。

與此同時，三星、SK海力士及美光持續將更多先進製程晶圓、研發資源與封裝能力轉向HBM，使DDR5、LPDDR5X及部分傳統記憶體產品的供給空間受到壓縮。 摩根士丹利預估，HBM相較傳統DRAM的位元產出損失，可能從2021至2023年的約2.5倍，擴大至2028年的約3倍；HBM占先進DRAM晶圓消耗的比例，也可能從2023年的約6%，大幅升至2028年的34%。 這形成一個特殊的市場環境：AI越熱絡，全球領先記憶體廠越有動機將資源投入高毛利HBM，反而為中國廠商進入主流DRAM與NAND市場留下空間。 長鑫可承接主流DDR與LPDDR需求，長存則可補充NAND及SSD供應。

短期而言，中國擴產有助於緩解供應吃緊並推動進口替代；但若新增產能持續累積，長期則可能削弱全球記憶體產業的價格紀律。 因此，「中國擴產有利供給」與「中國擴產威脅獲利」其實可以同時成立。 關鍵差異在於所處的景氣階段。 2026至2027年，AI需求強勁、傳統記憶體供給遭HBM擠壓，中國新增產能較容易被市場吸收；到了2028年後，如果需求增速放緩，而中國與全球既有廠商的新產能同步釋出，供給過剩風險就可能明顯升高。

長 鑫產 能快速擴張， 2028 年前後規模可能超越美光摩根士丹利預估，長鑫DRAM月產能將由2025年的18萬片晶圓，增加至2026年的30萬片，約占全球DRAM晶圓產能13%、位元出貨量約11%；到2028年進一步提升至50萬片，2031年則可能達到80萬片。 若擴產順利，長鑫到2030年的全球DRAM位元出貨市占率可能接近15%，甚至有機會在2028年前後以產能規模超越美光，成為全球第三大DRAM供應商。 不過，晶圓產能占比並不等同於位元出貨占比，更不能直接代表獲利能力。 長鑫已於2026年第二季完成第四代B製程全面切換，約為16奈米級製程，摩根士丹利估計其良率已超過90%。

產品方面，DDR5支援5600MHz，並規劃進一步推進至6400MHz。 但在製程技術上，長鑫仍主要使用浸沒式DUV搭配多重圖形化。 相較全球領先廠商，這種方式需要更多光罩與製程步驟，生產週期較長，並涉及疊對誤差、缺陷控制及單顆良品成本等問題。 因此，即使產品規格逐漸接近國際大廠，成本、良率、可靠度、伺服器驗證，以及全球銷售與服務能力仍存在差距。 尤其在HBM領域，長鑫在封裝、驗證及產業生態系方面與領先廠商仍存在數年差距。 但摩根士丹利指出，記憶體供應商不需要全面追上最先進技術，才有能力影響商品價格。

只要長鑫能夠穩定供應中國伺服器、手機與消費電子市場，就能降低中國客戶對進口記憶體的依賴，同時促使海外廠商將原本供應中國市場的產品轉往其他地區。 因此，長鑫目前最重要的戰略意義仍在於「供給曲線」，而非高階市場市占率。 HBM 成中國 AI 供應鏈最難跨越的技術門檻相較主流DRAM，HBM仍是中國記憶體產業最難突破的領域之一。 HBM涉及高良率DRAM裸晶、TSV、晶圓薄化、散熱與翹曲控制、邏輯基底整合、先進封裝、測試，以及GPU或ASIC廠商長期認證等多個環節。 能夠製造出功能樣品，與能夠穩定、低成本且大規模量產，並不是同一件事。

摩根士丹利預估，長鑫2027年可能生產約300萬至400萬顆HBM3E堆疊，即使初期良率偏低，也可能支援約80萬至100萬顆中國AI GPU。 以位元出貨量計算，長鑫HBM在2026年與2027年的全球市占率可能分別約為3.8%與4.4%。 這個規模尚不足以取代三星、SK海力士及美光，但已可能協助緩解中國AI晶片供應鏈的關鍵記憶體瓶頸。 時間點也相當重要。 2027年全球領先廠商可能進一步將資源投入HBM4，而中國AI晶片仍可能對HBM3E存在大量需求。 若長鑫能在2027年上半年實現12層HBM3E量產，即使產品並非全球最先進，也可能因為「足夠先進且能夠取得」而具有戰略價值。

報告同時提出長鑫2028年推進HBM4的路線圖，但能否達成仍須透過封裝良率、量產規模與客戶驗證逐步確認。 值得注意的是，即使將長鑫HBM擴產納入計算，摩根士丹利仍預估全球DRAM市場2026年及2027年可能分別短缺約17%及15%，代表短期市場主軸仍然是供給不足，而非中國擴產立即造成全球過剩。 長存另闢蹊徑，企業級 SSD 成下一個戰場與長鑫主要聚焦DRAM不同，長江存儲的競爭策略則更集中在