羅姆提前兩年達成綠色創新基金項目的技術目標
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AI 摘要（NQ 加工版）
NEDO執行的綠色創新基金事業「下一代數位基礎設施建構」項目中，羅姆株式會社在「8吋下一代SiC MOSFET開發」方面，已比原計畫提前兩年達成技術目標。羅姆成功建構了8吋SiC器件生產線，並實現了電力損失降低50%以上及低成本化的目標。此成就為實現碳中和目標，加速推動SiC功率半導體的社會實裝奠定基礎。
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常見問題
- Q: 羅姆股份有限公司在筑後工廠建構的全新八吋碳化矽器件生產線達成了什麼節能技術目標？
- A: 羅姆股份有限公司在筑後工廠實證了該生產線製造的八吋碳化矽場效電晶體器件，與傳統矽絕緣柵雙極電晶體相比，能將電力轉換器的電力損失降低百分之五十以上。
- Q: 羅姆股份有限公司所參與的八吋下一代碳化矽器件開發專案是在什麼時候啟動，且何時預計結束？
- A: 羅姆股份有限公司的該項研發專案自二零二二年四月正式啟動，並預計於二零二五年度結束，此次相較於原定時程提前了兩年達成技術目標。
- Q: 新能源產業技術綜合開發機構推動的綠色創新基金事業中，下一代數位基礎設施建構專案鎖定哪些領域以實現碳中和？
- A: 該專案主要針對電動化汽車、再生能源以及伺服器電源等領域，旨在提高下一代功率半導體碳化矽與氮化鎵的性能，促進節能技術早期普及。
- Q: 羅姆股份有限公司在研發八吋碳化矽器件的製造過程中，克服了哪些關鍵技術挑戰以實現降低成本？
- A: 羅姆股份有限公司確立了適用於八吋大口徑晶圓的磊晶生長技術及低導通電阻技術，並整合關鍵製程在羅姆器件製造股份有限公司筑後工廠建構了專用生產線。
- Q: 新能源產業技術綜合開發機構與羅姆股份有限公司合作的技術開發，對於二零五零年的長期環境保護有何具體目標？
- A: 雙方合作旨在實現二零五零年碳中和的目標，透過加速下一代綠色功率半導體的社會實裝與應用推廣，減少溫室氣體排放並減緩全球氣候變遷。