TSMCが高価と指摘も、ASMLはHigh NA EUV製チップが数ヶ月内に登場と予測
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半導体製造装置のトップメーカー、ASMLのCEOクリストフ・フーケ氏は19日、次世代リソグラフィ装置である高NA（開口数）EUV装置で製造された初の製品が数ヶ月以内に登場する見込みであると述べた。これは、主要顧客であるTSMCが4月に同装置を「高価すぎる」と指摘した後の発言。フーケ氏はベルギーのimec主催の会議で、新装置は最先端のロジックチップやメモリチップのパターニングコストを削減すると主張した。
AI 分析
よくある質問
- Q: ASML宣布了什麼關於High NA EUV設備的進展？
- A: ASML執行長福克表示，預期幾個月內可看到使用其新一代High NA EUV設備製造的首批產品問世，應用於記憶體或邏輯晶片。
- Q: 這款High NA EUV曝光機的價格是多少？
- A: 根據報導，這種機器每台價格最高可達4億美元，約合新台幣126億6000萬元。
- Q: 台積電對這款新設備的看法是什麼？
- A: 台積電在4月時曾表示，High NA EUV曝光機的價格太過昂貴。
- Q: ASML如何回應設備昂貴的說法？
- A: ASML執行長福克稱，High NA EUV曝光機將能降低最先進晶片的圖案化（patterning）成本，無論是邏輯晶片或記憶晶片。
- Q: 此項宣布是在何處發布的？
- A: 此消息由ASML執行長福克在比利時的微電子研究中心（imec）主辦的一場會議上宣布。