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當AI晶片功耗突破千瓦大關,晶片過熱與高溫變形已成運算極限的最大罩門!在摩爾定律放緩下,先進封裝大擴產躍升為唯一解方,隨著製程難度倍增,專攻散熱與防翹曲的關鍵設備迎來身價翻倍與站點暴增的黃金上升期。
〈晶片尺寸與功耗飆升,CoPoS與SoIC引領革新〉
次世代晶片呈現尺寸持續放大、功耗(TDP)世代倍增,以及透過3D垂直堆疊縮短互連距離三大趨勢,為解決大尺寸晶圓面積利用率僅45%的限制,台積電推動將載體轉為方形面板的CoPoS架構,預計於2028年放量並將面積效率提升至81%,晶片設計加速導入SoIC垂直堆疊與混合鍵合技術,以極高互連密度與更低能耗,確立為次世代旗艦平台的主流配置。
〈製程難度非線性加劇,解翹曲與散熱設備迎升級〉
隨著封裝面積擴大、層數增加及異質材料CTE差異拉大,加熱製程中的翹曲問題呈非線性惡化,使抗翹曲處理躍升為量產必需品,單晶片功耗突破1500W至2000W以上,迫使散熱解方內移至晶片內部,帶動散熱片(Lid/Stiffener)與TIM貼合設備需求爆發,設備商不僅因清洗、烘烤與檢測等站點倍增擴大出貨,更透過複合功能整合推升平均售價與單一產能產值。
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〈跨入類前段精密工藝,台系關鍵設備商長線看升〉
在先進封裝向類前段精細度推進下,台廠設備供應鏈展現強大技術突破與市佔擴張實力,弘塑(3131-TW)與辛耘(3583-TW)憑高階濕製程切入Class 10潔淨度與方形基板暫時鍵合/解離關鍵站點;志聖(2467-TW)以整合型防翹曲烘烤設備卡位多道加熱工序,站點與產值大增;均華(6640-TW)穩居晶粒挑選分選機龍頭並推進晶圓鍵合機驗證;萬潤(6187-TW)與竑騰(7751-TW)全面掌握點膠、散熱片與高精度平整貼合製程;印能(7734-TW)以除泡與抗翹曲專利機台簡化製程,倍利科(7822-TW)則憑3D透視檢查切入多層堆疊檢驗,可趁拉回時逢低布局具備技術護城河的先進封裝設備指標股。邀請投資人下載智霖老師的APP並鎖定直播,一起掌握產業最前線的產業脈動!
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文章來源:陳智霖分析師/凱旭投顧
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