美銀證券最新通路調查顯示，2026年第三季多數DRAM產品平均售價季增20%至30%，NAND漲幅也超過15%；超大規模雲端業者更已提前簽約，同意2027年第一季以高於2026年第四季的價格採購DRAM，顯示大型客戶已接受漲價預期並鎖定合約。

美銀證券分析師Simon Woo發布最新記憶體產業報告，針對記憶體晶片製造商、現貨市場經銷商及OEM業者進行調查後指出，儘管長期協議占比上升，第三季多數DRAM產品平均售價仍較第二季上漲20%至30%，NAND漲幅則超過15%，反映記憶體市場價格表現強勁。

然而漲勢並未在第三季告終。美銀預估，第四季記憶體平均售價至少仍將呈現個位數成長。

更值得注意的是，超大規模雲端業者已簽訂新合約，同意2027年第一季支付高於2026年第四季的DRAM價格，意味買方不僅接受短期漲價，也已將明年初價格續揚的預期寫入合約。

供應短缺支撐價格

美銀指出，記憶體供應持續短缺，加上部分OEM與大型科技公司加快晶片採購，使其對2027年上半年市場看法轉趨樂觀，並上調2027年至2028年DRAM平均售價預測8%至12%，NAND平均售價預測也提高2%至3%。

至於2026年下半年，由於原先預估已偏樂觀，因此維持原有看法不變。

調整後，美銀預估2027年DRAM平均售價約為每8Gb當量17.1美元，2028年約為16.2美元；NAND平均售價則分別約為每256Gb當量10美元及8.7美元。

供需數據顯示，2026年DRAM供需充足率僅約79%，遠低於100%的平衡水準，直到2027年才逐步回升至接近均衡；NAND在2026年的供需充足率約80%，預計2027年回升至約102%。供給受限，成為記憶體價格得以持續走高的主要支撐。

PC與智慧機減產幅度不嚴重

報告指出，儘管記憶體短缺，PC與智慧型手機今年以來的減產幅度並不嚴重，出貨量較去年同期僅減少約10%，顯示終端需求尚未出現大幅萎縮，供需缺口主要受到AI伺服器強勁需求推動。

在伺服器市場，AI伺服器對高頻寬記憶體（HBM）的需求已占DRAM總出貨量逾50%。美銀預估，2026年HBM市場規模將達774億美元，年增124%，2027年再擴大至1,528億美元。

2028年估迎軟著陸

不過，美銀並未預期價格將一路直線上漲。報告估計，2028年整體記憶體平均售價將較2027年下跌約10%，其中DRAM下跌5%、NAND下跌13%，但將此視為2029年至2030年新一輪成長前的「軟著陸」。

屆時，更先進的AI應用，以及採用高階記憶體的GPU與ASIC，將再度成為市場成長動力。

長期來看，美銀將2030年全球DRAM與NAND市場規模預測由1.8兆美元上調至2兆美元，並預估2027年至2030年兩者合計銷售額的年複合成長率將達21%。

支撐這項預測的因素，包括供應持續緊張、AI晶片需求強勁、位元出貨量維持高兩位數成長，以及HBM、SOCAMM與企業級固態硬碟等先進產品比重提高。

美銀自建的記憶體景氣指數7月維持在歷史新高180，遠高于周期中位數100，也高于2017年至2018年高峰的120。美銀預期，8月至9月相關數據仍將保持強勁。